מספר מוצר של יצרן:
ISC010N06NM5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
ISC010N06NM5ATMA1-DG
תיאור:
OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 330A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
מלאי:
3757 יחידות חדשות מק originales במלאי
12975479
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ISC010N06NM5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Ta), 330A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 147µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
143 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSON-8-3
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-ISC010N06NM5ATMA1CT
SP005630896
448-ISC010N06NM5ATMA1TR
448-ISC010N06NM5ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MCQ18N03-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
DMP2004TK
DIODE
PMV15ENER
PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
