מספר מוצר של יצרן:
LND150N3-G-P002
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
LND150N3-G-P002-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
מלאי:
1965 יחידות חדשות מק originales במלאי
12814877
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
LND150N3-G-P002 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30mA (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
740mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92-3
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
LND150
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
150-LND150N3-G-P002DKR-DG
LND150N3-G-P002-DG
150-LND150N3-G-P002DKRINACTIVE
150-LND150N3-G-P002CT
150-LND150N3-G-P002DKR
150-LND150N3-G-P002TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF3711ZCS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF7459
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
