מספר מוצר של יצרן:
IRF7459
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7459-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
מלאי:
12814886
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7459 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2480 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF7459
חבילה סטנדרטית
95
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
