APT44F80B2
מספר מוצר של יצרן:

APT44F80B2

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT44F80B2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 47A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
13261037
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT44F80B2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
47A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
305 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9330 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1135W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT44F80

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT44F80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microsemi

APTC90DAM60T1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

microsemi

APT20N60SC3G

MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

microsemi

APT40SM120S

SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK

microchip-technology

APT8014L2FLLG

MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX