מספר מוצר של יצרן:
APTC90DAM60T1G
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
APTC90DAM60T1G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
מלאי:
13261068
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APTC90DAM60T1G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
59A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 6mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
540 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13600 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
462W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SP1
חבילה / מארז
SP1
מידע נוסף
שמות אחרים
APTC90DAM60T1G-ND
150-APTC90DAM60T1G
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT20N60SC3G
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
APT40SM120S
SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK
APT8014L2FLLG
MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX
