מספר מוצר של יצרן:
VMO1600-02P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
VMO1600-02P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 1900A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
מלאי:
12819476
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
VMO1600-02P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
PolarHT™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1900A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 1600A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2900 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
Y3-Li
חבילה / מארז
Y3-Li
מספר מוצר בסיסי
VMO
מידע נוסף
שמות אחרים
VMO160002P
חבילה סטנדרטית
2
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
IXKP10N60C5M
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
IXTH24N50L
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
