מספר מוצר של יצרן:
IXTU2N80P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTU2N80P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 2A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251AA
מלאי:
12821052
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
c2yw
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTU2N80P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
PolarHV™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251AA
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IXTU2
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STU2N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
119
DiGi מספר חלק
STU2N80K5-DG
מחיר ליחידה
0.46
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFU1N60APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1927
DiGi מספר חלק
IRFU1N60APBF-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD3NK80Z-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
STD3NK80Z-1-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD4NK80Z-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4630
DiGi מספר חלק
STD4NK80Z-1-DG
מחיר ליחידה
0.78
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP10P15T
MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
FDM21-05QC
MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
IXTY3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
