מספר מוצר של יצרן:
IXTY3N60P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTY3N60P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12821057
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTY3N60P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
PolarHV™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
411 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXTY3
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD2N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2192
DiGi מספר חלק
STD2N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD3N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3586
DiGi מספר חלק
STD3N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.36
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPD60R3K3C6ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4490
DiGi מספר חלק
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTY4N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
70
DiGi מספר חלק
IXTY4N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPD80R3K3P7ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
5000
DiGi מספר חלק
IPD80R3K3P7ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
IXFN100N65X2
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
IXTA1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263