מספר מוצר של יצרן:
IXTU12N06T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTU12N06T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 12A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-251AA
מלאי:
12818844
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTU12N06T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
Trench
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
256 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
33W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251AA
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IXTU12
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD12NF06L-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1913
DiGi מספר חלק
STD12NF06L-1-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFT14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO268
MKE11R600DCGFC
MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
IXTA170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO263
