מספר מוצר של יצרן:
IXTQ42N25P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTQ42N25P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
11 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819660
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTQ42N25P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
42A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
84mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXTQ42
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDA33N25
יצרן
onsemi
כמות זמינה
619
DiGi מספר חלק
FDA33N25-DG
מחיר ליחידה
1.54
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
IXFK72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO264AA
IRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
