מספר מוצר של יצרן:
IXTH1N200P3HV
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH1N200P3HV-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
תיאור מפורט:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247HV
מלאי:
294 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819661
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH1N200P3HV מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar P3™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
2000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
646 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247HV
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXTH1
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO264AA
IRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
IXFH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
