מספר מוצר של יצרן:
IXTQ26N60P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTQ26N60P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12820095
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTQ26N60P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
460W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXTQ26
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTQ30N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTQ30N60P-DG
מחיר ליחידה
5.15
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTQ36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
IXFT80N15Q
MOSFET N-CH 150V 80A TO268