מספר מוצר של יצרן:
IXTQ30N60P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTQ30N60P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12820359
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTQ30N60P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5050 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
540W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXTQ30
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQA24N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
270
DiGi מספר חלק
FQA24N60-DG
מחיר ליחידה
3.94
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW18N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
476
DiGi מספר חלק
STW18N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.26
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
562
DiGi מספר חלק
STW24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW18NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
547
DiGi מספר חלק
STW18NM60N-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTQ100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO3P
IXTH44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO247
IXTA62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO263
