מספר מוצר של יצרן:
IXTP120P065T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP120P065T-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
תיאור מפורט:
P-Channel 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12820814
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP120P065T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
TrenchP™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
65 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
185 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
298W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTH120P065T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
5
DiGi מספר חלק
IXTH120P065T-DG
מחיר ליחידה
3.94
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP20N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IXFK102N30P
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
