IXTH120P065T

מספר מוצר של יצרן:

IXTH120P065T

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTH120P065T-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 65V 120A TO247

תיאור מפורט:

P-Channel 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

מלאי:

5 יחידות חדשות מק originales במלאי

12820449

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXTH120P065T מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

Tube

סדרה

TrenchP™

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

65 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

120A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

10mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

185 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±15V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

13200 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

298W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-247 (IXTH)

חבילה / מארז

TO-247-3

מספר מוצר בסיסי

IXTH120

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IXT(A,H,P)120P065T

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IXTH120P065T-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

littelfuse

IXFP22N65X2M

MOSFET N-CH 650V 22A TO220

littelfuse

IXTP60N10T

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

littelfuse

IXFA3N120-TRL

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

littelfuse

IXTQ56N15T

MOSFET N-CH 150V 56A TO3P