מספר מוצר של יצרן:
IXTH4N150
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH4N150-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1500 V 4A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
12821396
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH4N150 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1576 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
280W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXTP110N055T2
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
