IXTH12N65X2
מספר מוצר של יצרן:

IXTH12N65X2

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTH12N65X2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

מלאי:

3 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821214
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXTH12N65X2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
180W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH12

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
IXTH12N65X2
גיליון נתונים של HTML
IXTH12N65X2-DG
גליונות נתונים
IXTx12N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
littelfuse

IXTY01N100D

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

littelfuse

IXFB60N80P

MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264

littelfuse

IXFT69N30P

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

littelfuse

IXFH36N50P

MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD