מספר מוצר של יצרן:
IXTY01N100D
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTY01N100D-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
6296 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821215
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTY01N100D מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
400mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.8 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
100 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXTY01
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXTY01N100D-CRL
Q14254273
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFB60N80P
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO268
IXFH36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD