מספר מוצר של יצרן:
IXTB30N100L
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTB30N100L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
מלאי:
12819336
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTB30N100L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Linear
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
545 nC @ 20 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS264™
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXTB30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH10N100
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
IXFK88N20Q
MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263