מספר מוצר של יצרן:
IXFK200N10P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFK200N10P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
מלאי:
12819347
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFK200N10P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
235 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
830W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-264AA (IXFK)
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFK200
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTT30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
IXFN26N100P
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
IXTA220N04T2-7
MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
