IXTA76P10T-TRL
מספר מוצר של יצרן:

IXTA76P10T-TRL

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTA76P10T-TRL-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 100V 76A TO263
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 76A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

3010 יחידות חדשות מק originales במלאי
13140545
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXTA76P10T-TRL מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchP™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
76A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
197 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
298W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXTA76

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
IXT(A,H,P)76P10T

מידע נוסף

שמות אחרים
238-IXTA76P10T-TRLCT
238-IXTA76P10T-TRLDKR
238-IXTA76P10T-TRLTR
חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHA11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

vishay

SIHA6N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 5A TO220

vishay-siliconix

SISS32LDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

vishay-siliconix

SIHG105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC