IXTA08N120P

מספר מוצר של יצרן:

IXTA08N120P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTA08N120P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263

תיאור מפורט:

N-Channel 1200 V 800mA (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263AA

מלאי:

150 יחידות חדשות מק originales במלאי

12821436

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXTA08N120P מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

Tube

סדרה

Polar

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

1200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

800mA (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

25Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 50µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

14 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

333 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

50W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263AA

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IXTA08

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

גליונות נתונים

IXT(A,P)08N120P Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

littelfuse

IXTP6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

littelfuse

IXTQ60N30T

MOSFET N-CH 300V 60A TO3P

littelfuse

IXTH02N450HV

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV

littelfuse

IXFA20N85XHV

MOSFET N-CH 850V 20A TO263