מספר מוצר של יצרן:
IXTP6N100D2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP6N100D2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
395 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821437
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP6N100D2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
95 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2650 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTQ60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
IXTH02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
IXFA20N85XHV
MOSFET N-CH 850V 20A TO263