מספר מוצר של יצרן:
IXKC19N60C5
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXKC19N60C5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 19A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
מלאי:
12819192
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXKC19N60C5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1.1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
70 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2500 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUS220™
חבילה / מארז
ISOPLUS220™
מספר מוצר בסיסי
IXKC19
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPA60R125C6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
478
DiGi מספר חלק
IPA60R125C6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6030KNXC7
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1500
DiGi מספר חלק
R6030KNXC7-DG
מחיר ליחידה
1.76
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6030ENX
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6030ENX-DG
מחיר ליחידה
2.69
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6030KNX
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
500
DiGi מספר חלק
R6030KNX-DG
מחיר ליחידה
1.62
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF28NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
940
DiGi מספר חלק
STF28NM60ND-DG
מחיר ליחידה
4.07
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXTP08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
IPW60R330P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
