IXTP08N120P
מספר מוצר של יצרן:

IXTP08N120P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTP08N120P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 800mA (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
12819198
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXTP08N120P מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
333 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP08

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
IXTP08N120P
גיליון נתונים של HTML
IXTP08N120P-DG
גליונות נתונים
IXT(A,P)08N120P Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPW60R330P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

littelfuse

IXFK26N60Q

MOSFET N-CH 600V 26A TO264AA

littelfuse

IXFH20N60

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

littelfuse

IXFV22N50P

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220