מספר מוצר של יצרן:
IXFX120N25
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX120N25-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12820087
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX120N25 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
400 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
560W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX120
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP4768PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2632
DiGi מספר חלק
IRFP4768PBF-DG
מחיר ליחידה
3.59
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
IXTQ30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P