מספר מוצר של יצרן:
IRFP4768PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFP4768PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
2632 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803896
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFP4768PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
93A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
270 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10880 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
520W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IRFP4768
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IRFP4768PBF
IRFP4768PBF-DG
2156-IRFP4768PBF
SP001571028
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFB7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
IRF8736PBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
