מספר מוצר של יצרן:
IRFB7437PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB7437PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
2550 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803898
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB7437PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®, StrongIRFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
195A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
225 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7330 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
230W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB7437
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFB7437PBF
INFINFIRFB7437PBF
SP001556080
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF8736PBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IPD60R180P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
IPA65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
