מספר מוצר של יצרן:
IXFT60N65X2HV
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFT60N65X2HV-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
מלאי:
3 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821699
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFT60N65X2HV מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
108 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
780W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-268HV (IXFT)
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
IXFT60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFT60N65X2HV
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO247
IXFX66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3
IXFH58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
