מספר מוצר של יצרן:
IXFR38N80Q2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFR38N80Q2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
מלאי:
12913234
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFR38N80Q2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Q2 Class
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
190 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8340 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
416W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUS247™
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFR38
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT38F80B2
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
37
DiGi מספר חלק
APT38F80B2-DG
מחיר ליחידה
13.93
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
