מספר מוצר של יצרן:
IXFH24N60X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH24N60X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 24A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12913237
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH24N60X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Ultra X
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
175mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1910 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
400W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH24
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW28N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STW28N60DM2-DG
מחיר ליחידה
1.76
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG22N60AE-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG22N60AE-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG22N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
498
DiGi מספר חלק
SIHG22N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.88
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG23N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG23N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.99
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG24N65EF-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG24N65EF-GE3-DG
מחיר ליחידה
2.76
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
SI1450DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70
