מספר מוצר של יצרן:
IXFP4N85XM
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFP4N85XM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12819540
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFP4N85XM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
850 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
247 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IXFP4N85
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK7A90E,S4X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
95
DiGi מספר חלק
TK7A90E,S4X-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN70N100X
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
