מספר מוצר של יצרן:
IXFN70N100X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN70N100X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 56A (Tc) 1200W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
49 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819546
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN70N100X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
56A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
89mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
350 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9150 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
IXFH42N20
MOSFET N-CH 200V 42A TO247AD
