IXFN62N80Q3

מספר מוצר של יצרן:

IXFN62N80Q3

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXFN62N80Q3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B

תיאור מפורט:

N-Channel 800 V 49A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

מלאי:

8 יחידות חדשות מק originales במלאי

12907491

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXFN62N80Q3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

Tube

סדרה

HiPerFET™, Q3 Class

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

800 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

49A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

140mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

6.5V @ 8mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

270 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

13600 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

960W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-227B

חבילה / מארז

SOT-227-4, miniBLOC

מספר מוצר בסיסי

IXFN62

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

-IXFN62N80Q3

חבילה סטנדרטית

10

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRF740STRLPBF

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

IXKG25N80C

MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

littelfuse

IXFH22N50P

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD

rohm-semi

RSH090N03TB1

MOSFET N-CH 30V 9A SOP8