מספר מוצר של יצרן:
IXKG25N80C
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXKG25N80C-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISO264™
מלאי:
12907532
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXKG25N80C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
166 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISO264™
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXKG25
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
RSH090N03TB1
MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
IRFR9310
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
