מספר מוצר של יצרן:
IXFN23N100
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN23N100-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12820309
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN23N100 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
600W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN23
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
IXFN20N120P
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
IXFH1799
MOSFET N-CH TO-247AD
