מספר מוצר של יצרן:
IXTY1R4N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTY1R4N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12820311
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTY1R4N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
450 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXTY1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN20N120P
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
IXFH1799
MOSFET N-CH TO-247AD
IXFX120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
