מספר מוצר של יצרן:
IXFL30N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFL30N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 357W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
מלאי:
12820809
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFL30N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
310 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
19000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
357W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUSi5-Pak™
חבילה / מארז
ISOPLUSi5-PAK™
מספר מוצר בסיסי
IXFL30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK150N10
MOSFET N-CH 100V 150A TO264AA
IXFN150N10
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
IXTP120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB