מספר מוצר של יצרן:
IXFK180N10
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFK180N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
מלאי:
12818986
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFK180N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
390 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
560W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-264AA (IXFK)
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFK180
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IXFK180N10-NDR
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFK200N10P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFK200N10P-DG
מחיר ליחידה
10.16
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
IXTT1N450HV
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
IXFV14N80PS
MOSFET N-CH 800V 14A PLUS-220SMD
