מספר מוצר של יצרן:
IXFH80N10Q
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH80N10Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
מלאי:
12819671
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH80N10Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
180 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD (IXFH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH80
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IXFH80N10
IXFH80N10Q-NDR
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
HUF75652G3
יצרן
onsemi
כמות זמינה
450
DiGi מספר חלק
HUF75652G3-DG
מחיר ליחידה
5.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH200N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
19
DiGi מספר חלק
IXTH200N10T-DG
מחיר ליחידה
4.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFP4310ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1902
DiGi מספר חלק
IRFP4310ZPBF-DG
מחיר ליחידה
2.10
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFP150PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
487
DiGi מספר חלק
IRFP150PBF-DG
מחיר ליחידה
1.82
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFP140PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
650
DiGi מספר חלק
IRFP140PBF-DG
מחיר ליחידה
1.69
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTU8N70X2
MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3
IXTF1N250
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
IXTH50N30
MOSFET N-CH 300V 50A TO247
