מספר מוצר של יצרן:
IXTH200N10T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH200N10T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
19 יחידות חדשות מק originales במלאי
12820864
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH200N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Trench
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
152 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
550W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH200
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP4310ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1902
DiGi מספר חלק
IRFP4310ZPBF-DG
מחיר ליחידה
2.10
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFB62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
IXTA27N20T
MOSFET N-CH 20V 27A TO263
IXTN32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
