מספר מוצר של יצרן:
IXFH11N80
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH11N80-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
מלאי:
12822213
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH11N80 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
155 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD (IXFH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH11
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IXFH11N80-NDR
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SPW17N80C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
452
DiGi מספר חלק
SPW17N80C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFH14N80P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH14N80P-DG
מחיר ליחידה
3.72
סוג משאב
Similar
מספר חלק
APT11N80BC3G
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
90
DiGi מספר חלק
APT11N80BC3G-DG
מחיר ליחידה
3.36
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW10NK80Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
39
DiGi מספר חלק
STW10NK80Z-DG
מחיר ליחידה
2.27
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPW11N80C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2520
DiGi מספר חלק
SPW11N80C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.49
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA110N055T2
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
IXFH12N80P
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD
IXFH18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
