מספר מוצר של יצרן:
APT11N80BC3G
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
APT11N80BC3G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
מלאי:
90 יחידות חדשות מק originales במלאי
13261199
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT11N80BC3G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 680µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1585 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 [B]
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
APT11N80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
APT32M80J
MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP
APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
