מספר מוצר של יצרן:
IXFB210N30P3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFB210N30P3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
תיאור מפורט:
N-Channel 300 V 210A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
מלאי:
12819977
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFB210N30P3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar3™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
300 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
210A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
268 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
16200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1890W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS264™
חבילה / מארז
TO-264-3, TO-264AA
מספר מוצר בסיסי
IXFB210
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXFB210N30P3
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTT1N250HV
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
IXTP1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
IXFH80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD