מספר מוצר של יצרן:
IXTP1R6N50D2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP1R6N50D2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12819979
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP1R6N50D2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23.7 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
645 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STU4N52K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2513
DiGi מספר חלק
STU4N52K3-DG
מחיר ליחידה
0.45
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD
IXTH130N15X4
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
IXTA36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
