IRLR2905ZTRLPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRLR2905ZTRLPBF

Product Overview

יצרן:

International Rectifier

DiGi Electronics מספר חלק:

IRLR2905ZTRLPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK

מלאי:

1225 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946706
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRLR2905ZTRLPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
42A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1570 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מידע נוסף

שמות אחרים
INFIRFIRLR2905ZTRLPBF
2156-IRLR2905ZTRLPBF
חבילה סטנדרטית
748

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF430

500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA

fairchild-semiconductor

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF5N90

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3