FDMC8327L

מספר מוצר של יצרן:

FDMC8327L

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMC8327L-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

תיאור מפורט:

N-Channel 40 V 12A (Ta), 14A (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12946715

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMC8327L מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

אריזות

-

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12A (Ta), 14A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

9.7mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

26 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1850 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.3W (Ta), 30W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-MLP (3.3x3.3)

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDMC8327L

ONSFSCFDMC8327L

חבילה סטנדרטית

603

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

fairchild-semiconductor

FQPF5N90

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD6612A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

AUIRF3805L

MOSFET N-CH 55V 160A TO262

fairchild-semiconductor

FDMS0349

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR