מספר מוצר של יצרן:
IRF6716MTRPBF
Product Overview
יצרן:
International Rectifier
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6716MTRPBF-DG
תיאור:
IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 180A (Tc) 3.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
מלאי:
86368 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946544
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6716MTRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
59 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5150 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.6W (Ta), 78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MX
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MX
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRF6716MTRPBF
INFINFIRF6716MTRPBF
חבילה סטנדרטית
205
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF5N50CYDTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDPF3N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
AUIRF1404ZS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
