מספר מוצר של יצרן:
FQPF5N50CYDTU
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF5N50CYDTU-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
מלאי:
34713 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946545
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF5N50CYDTU מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
625 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
38W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3 (Y-Forming)
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFQPF5N50CYDTU
2156-FQPF5N50CYDTU
חבילה סטנדרטית
390
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF3N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
AUIRF1404ZS
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDH038AN08A1
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
