מספר מוצר של יצרן:
SPW11N60CFDFKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPW11N60CFDFKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
מלאי:
12806527
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPW11N60CFDFKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-1
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SPW11N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SPW11N60CFD-DG
SP000014534
SPW11N60CFDXK
2156-SPW11N60CFDFKSA1
SPW11N60CFD
SPW11N60CFDIN-DG
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDX
INFINFSPW11N60CFDFKSA1
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFH14N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
24
DiGi מספר חלק
IXFH14N60P-DG
מחיר ליחידה
2.65
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STW13NK60Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STW13NK60Z-DG
מחיר ליחידה
2.67
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTH12N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
3
DiGi מספר חלק
IXTH12N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLR9343-701PBF
MOSFET P-CH 55V 20A IPAK
SPP07N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
SPB20N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
